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J-GLOBAL ID：200903076630719420

半導体記憶装置

Inventor： 笠 靖
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992156889
Publication number (International publication number)：1994005870
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体記憶装置に設けられた複数個のメモリセルトランジスタを部分的に且つ選択的に一括書き込み、或いは一括消去を行う事に出来る半導体記憶装置を提供する。【構成】 第1の導電型、例えばN型を有する基板2上もしくは、第1の導電型、例えばN型を有するウェル2’内に、所定の領域に亘たって第2の導電型、例えばP型を有するウェル7を形成すると共に、該第2の導電型、例えばP型を有するウェル7内に第1の導電型、例えばN型を有するチャネルを持ったメモリセルトランジスタ10が形成されている半導体記憶装置1。

Claim (excerpt)：

第1の導電型を有する基板上もしくは、第1の導電型を有するウェル内に、所定の領域に亘たって第2の導電型を有するウェルを形成すると共に、該第2の導電型を有するウェル内に第1の導電型を有するチャネルを持ったメモリセルトランジスタが形成されている事を特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D