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J-GLOBAL ID:200903076631832492

トランジスタの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2004502343
Publication number (International publication number):2005531131
Application date: Apr. 17, 2003
Publication date: Oct. 13, 2005
Summary:
ソース電極とドレイン電極フィーチャーとを固定されたシャドウマスクにある単一アパーチャを通して基板上に蒸着させる工程を含み、前記アパーチャが少なくとも2つの対向端部を有しており、フィーチャーの形状がアパーチャおよび基板に対するソース材料の位置により画定されている、トランジスタの製造方法。
Claim (excerpt):
ソース電極およびドレイン電極フィーチャーを、固定されたシャドウマスクにある単一アパーチャを通して基板上に堆積させる工程を含む、トランジスタの製造方法であって、前記アパーチャが少なくとも2つの対向縁部を有しており、前記フィーチャーの形状が前記アパーチャおよび前記基板に対するソース材料の位置により画定されている方法。
IPC (4):
H01L21/336 ,  H01L21/285 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786
FI (5):
H01L29/78 616K ,  H01L21/285 P ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A
F-Term (40):
4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104DD34 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ01

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