Pat
J-GLOBAL ID:200903076631832492
トランジスタの製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 西山 雅也
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2004502343
Publication number (International publication number):2005531131
Application date: Apr. 17, 2003
Publication date: Oct. 13, 2005
Summary:
ソース電極とドレイン電極フィーチャーとを固定されたシャドウマスクにある単一アパーチャを通して基板上に蒸着させる工程を含み、前記アパーチャが少なくとも2つの対向端部を有しており、フィーチャーの形状がアパーチャおよび基板に対するソース材料の位置により画定されている、トランジスタの製造方法。
Claim (excerpt):
ソース電極およびドレイン電極フィーチャーを、固定されたシャドウマスクにある単一アパーチャを通して基板上に堆積させる工程を含む、トランジスタの製造方法であって、前記アパーチャが少なくとも2つの対向縁部を有しており、前記フィーチャーの形状が前記アパーチャおよび前記基板に対するソース材料の位置により画定されている方法。
IPC (4):
H01L21/336
, H01L21/285
, H01L29/417
, H01L29/786
FI (5):
H01L29/78 616K
, H01L21/285 P
, H01L29/50 M
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618A
F-Term (40):
4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB03
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB36
, 4M104DD34
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 5F110AA16
, 5F110AA28
, 5F110BB01
, 5F110BB04
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE09
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110GG02
, 5F110GG04
, 5F110GG05
, 5F110GG15
, 5F110GG28
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK32
, 5F110QQ01
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