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J-GLOBAL ID:200903076631946536

イオン選択性配位分子およびイオンセンサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992232396
Publication number (International publication number):1994073045
Application date: Aug. 31, 1992
Publication date: Mar. 15, 1994
Summary:
【要約】【目的】 極めて高い選択性を有するイオン選択性配位分子。【構成】 下記一般式(i)で示されるイオン選択性配位分子。【化1】但し、式(i)中、R1〜R6はそれぞれ独立して、Hまたは炭化水素基であって、R1〜R6の内の少なくとも1つは炭化水素基である。【効果】 本発明の分子を使用して作製される高選択性のイオンセンサ(イオン電極)は極めて有用であり、工業プロセス、食品、医療基礎研究等の分野において広く使用できる
Claim (excerpt):
下記一般式(i)で示されるイオン選択性配位分子。【化1】但し、式(i)中、R1〜R6はそれぞれ独立して、Hまたは炭化水素基であって、R1〜R6の内の少なくとも1つは炭化水素基である。
IPC (3):
C07D323/00 ,  C07D273/08 ,  G01N 27/333

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