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J-GLOBAL ID：200903076670796142

ビスマス層状化合物焼結体およびその製造方法

Inventor：
田島 健一

About 田島 健一


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000309785
Publication number (International publication number)：2002121069
Application date： Oct. 10, 2000
Publication date： Apr. 23, 2002
Summary：
【要約】【課題】大きな圧電特性を有するとともに、圧電特性のばらつきの小さいビスマス層状化合物焼結体を提供する。【解決手段】一般式が(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-(但し、A:アルカリ金属、アルカリ土類金属および鉛の群から選ばれる少なくとも1種、B:4a金属または5a金属の群から選ばれる少なくとも1種)で表されるビスマス層状化合物からなる扁平粒子を主結晶2とし、c面と垂直な結晶面方向に配向した配向方向と垂直な面Aを有し、配向方向と垂直な面Aにおける主結晶2のうち、長径dが0.5da≦d≦2da(daは主結晶の平均長径)を満たす結晶2の割合が全主結晶の80%以上であるビスマス層状化合物焼結体1を作製する。
Claim (excerpt)：
一般式が(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-(但し、A:アルカリ金属、アルカリ土類金属および鉛の群から選ばれる少なくとも1種、B:4a金属または5a金属の群から選ばれる少なくとも1種、m>1)で表されるビスマス層状化合物からなる扁平粒子を主結晶とし、c面と垂直な結晶面方向に配向した焼結体であり、該配向方向と垂直な面における主結晶のうち、長径dが0.5da≦d≦2da(daは主結晶の平均長径)を満たす結晶の割合が全主結晶の80%以上であることを特徴とするビスマス層状化合物焼結体。
IPC (2)：
C04B 35/46 ,  C04B 35/495
FI (2)：
C04B 35/46 J ,  C04B 35/00 J
F-Term (23)：
4G030AA03 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA16 ,  4G030AA25 ,  4G030AA43 ,  4G030BA10 ,  4G030CA01 ,  4G030CA02 ,  4G030GA08 ,  4G030GA14 ,  4G031AA01 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA19 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031CA02 ,  4G031GA04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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