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J-GLOBAL ID：200903076674197529

ペロフスカイト結晶構造を有するジルコンチタン酸鉛(PZT)を基礎とする圧電セラミック材料

Inventor：
ギュンター ヘルケ

About ギュンター ヘルケ


Applicant, Patent owner：
セラムテック アクチエンゲゼルシャフト イノヴェイティヴ セラミック エンジニアリング

About セラムテック アクチエンゲゼルシャフト イノヴェイティヴ セラミック エンジニアリング


Agent (5)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003532419
Publication number (International publication number)：2005503990
Application date： Sep. 20, 2002
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：
本発明はPb(Zr、Ti)O3系、すなわちジルコン酸鉛PbTiO3を基礎とする圧電セラミック材料に関し、組成を変性することにより種々の使用に適合できる、きわめて良好な誘電特性および電気機械的特性を有することを特徴とする。Pb(Zr、Ti)O3を基礎とする圧電セラミック材料は高いレベルの圧電活性を得るために変性する。本発明は式A2+B4+O32-のペロフスカイトの結晶構造を有するジルコンチタン酸鉛(PZT)を基礎とする圧電セラミック材料を提供し、Zr/Ti位置での異なる原子価のアクセプターイオンおよびドナーイオンの置換基を有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
式A2+B4+O32-を有するペロフスカイト結晶構造を有するジルコンチタン酸鉛(PZT)を基礎とする圧電セラミック材料において、Zr/Ti位置での異なる原子価のアクセプターイオンおよびドナーイオンの置換基を有することを特徴とする圧電セラミック材料。
IPC (2)：
C04B35/49 ,  H01L41/187
FI (3)：
C04B35/49 A ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J
F-Term (12)：
4G031AA05 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA21 ,  4G031AA29 ,  4G031AA32 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  4G031GA02 ,  4G031GA11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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