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J-GLOBAL ID：200903076674592860
電界放出型電子素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤本 英介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998143317
Publication number (International publication number)：1999339637
Application date： May. 25, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高密度に集積するために電子放出冷陰極チップ素子を微細化しても素子特性、均一性及び再現性が低下することのない電界放出型電子素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコンSi基板11上に電界放出の原理に基づき電子放出する金属の冷陰極チップ16を有する電界放出型電子素子20において、冷陰極チップ16とシリコンSi基板11との間に珪化金属18を配することを特徴とする電界放出型電子素子20である。
Claim (excerpt)：
シリコンSi基板上に電界放出の原理に基づき電子放出するエミッタ用冷陰極チップを有する電界放出型電子素子において、エミッタ冷陰極チップとシリコンSi基板との間に珪化金属を配することを特徴とする電界放出型電子素子。
IPC (2)：
FI (3)：
H01J 1/30 F
, H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
