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J-GLOBAL ID：200903076674994968
半導体レーザ装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991210163
Publication number (International publication number)：1993037089
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体レーザ装置の熱抵抗を下げて、高出力動作や長寿命を実現する。【構成】 上下両電極側にヒートシンク100a,100bを設け、上下両電極側より放熱をおこなう半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子の基板2aの厚みを50μm以下とした。【効果】 半導体レーザ素子の基板側からの放熱を向上でき、これにより熱抵抗を低減でき、高出力動作や長寿命が実現できる。
Claim (excerpt)：
半導体レーザ素子をp側及びn側の電極側から2つのヒートシンクで挟んだ半導体レーザ装置において、前記半導体レーザ素子の基板の厚さが50μm以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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