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J-GLOBAL ID:200903076744882941
半導体発光装置
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993052684
Publication number (International publication number):1994268252
Application date: Mar. 12, 1993
Publication date: Sep. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 光出射効率を向上させることができる半導体発光装置を提供する。【構成】 光出射面121aに反射防止膜201を形成した。電極125に対向する領域に、下面122aからPN接合面123を貫通する溝127を形成した。溝127を先細にした。側面141はPN接合面123と交差して、下面122aに向かって内側に傾斜した傾斜面141aを有する。下面122a,溝127の内面,傾斜面141aに反射膜171を形成した。【効果】 溝127が電極125に向かう光を少なくする。溝127の傾斜面および側面141の傾斜面141aが、PN接合面123に平行方向に進む光を反射して光出射面121aに向かわせる。
Claim (excerpt):
第1導電型層と第2導電型層とが接合面で互いに接合し、上記接合面に対向する第1導電型層の対向面に第1電極を形成し、上記接合面に対向する第2導電型層の対向面に第2電極を形成し、上記第1電極が形成された対向面もしくは上記第2電極が形成された対向面の一方を光出射面とした半導体発光装置において、上記光出射面とした一方の対向面に1層ないし複数層の誘電体光学薄膜で構成された反射防止膜を形成したことを特徴とする半導体発光装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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特開昭63-086578
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過給機の2段制御用バルブ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-303049
Applicant:株式会社日立製作所, 日立オートモテイブエンジニアリング株式会社
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特開平4-063478
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特開昭62-154675
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特開昭59-119775
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発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-164622
Applicant:シヤープ株式会社
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特開昭57-178386
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特開昭61-121374
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特開平4-088684
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