神経発生を誘導する一酸化窒素ドナー

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001502674
Publication number (International publication number)：2003532622
Application date： Jun. 14, 2000
Publication date： Nov. 05, 2003
Summary：

【要約】治療量の一酸化窒素ドナー化合物を、神経発生の促進を必要としている患者に投与することにより神経発生を促進する方法が提供される。神経発生を促進するに十分な有効量の一酸化窒素ドナーを有する、神経発生を提供するための化合物もまた、提供される。神経発生を促進するための一酸化窒素化合物もまた提供される。さらに、増強を必要としている部位に有効量の一酸化窒素ドナーを投与することにより脳細胞の生成を増強し、そして細胞構造変化およびレセプター変化を促進する方法が提供される。

Claim (excerpt)：

神経発生を促進する方法であって、以下の工程: 治療量の一酸化窒素ドナー化合物を、神経発生の促進を必要としている患者に投与する工程、を包含する、方法。

IPC (5)：

A61K 45/00 , A61K 31/13 , A61K 31/198 , A61P 25/00 , A61P 25/28

FI (5)：

A61K 45/00 , A61K 31/13 , A61K 31/198 , A61P 25/00 , A61P 25/28

F-Term (40)：

4C084AA02 , 4C084AA03 , 4C084AA17 , 4C084BA44 , 4C084MA17 , 4C084MA22 , 4C084MA23 , 4C084MA24 , 4C084MA35 , 4C084MA37 , 4C084MA41 , 4C084MA43 , 4C084MA52 , 4C084MA66 , 4C084NA14 , 4C084ZA022 , 4C084ZA152 , 4C084ZC20 , 4C206AA01 , 4C206AA02 , 4C206HA05 , 4C206HA32 , 4C206JA26 , 4C206JA76 , 4C206MA01 , 4C206MA04 , 4C206MA37 , 4C206MA42 , 4C206MA43 , 4C206MA44 , 4C206MA55 , 4C206MA57 , 4C206MA61 , 4C206MA63 , 4C206MA72 , 4C206MA86 , 4C206NA14 , 4C206ZA02 , 4C206ZA15 , 4C206ZC20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

虚血再灌流傷害における保護剤としての酸化窒素放出化合物の使用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-513345 Applicant：アメリカ合衆国, ザボードオヴスーパーヴァイザーズオヴルイジアナステートユニヴァーシティアンドアグリカルチュラルアンドメカニカルカレッジ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

学習記憶における一酸化窒素の役割
日本薬理学会雑誌, 199810, Vol.112, Suppl.1, p.118P-122P
Nitric Oxide Acts Directly in the Presynaptic Neuron to Produce Long-Term Potentiation in Cultured H

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