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J-GLOBAL ID：200903076757490350

薄膜配線構造及びそれを用いた液晶表示装置

Inventor： 河内 玄士朗 ,  阿武 恒一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992315115
Publication number (International publication number)：1994160877
Application date： Nov. 25, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低抵抗特性を有し、製造が簡単で、高絶縁特性を持つ薄膜配線構造、及び、外部接続端子の腐食及び表示画像品質に対して高信頼性を有し、少ない工程数で製造可能な走査信号ラインを持つ液晶表示装置を提供する。【構成】 絶縁基板1上に積層形成される薄膜配線構造であって、基板1に順次形成された第1の導電膜2と、第2の導電膜3と、第3の導電膜4からなり、第1の導電膜2は、Ta、Nb、Ta-Nb合金、Ta-Ti合金、W、Ta-W合金の中から選ばれ、第2の導電膜は、TaN合金、NbN合金、Ta-Nb-N合金、Ta-Ti-N合金、Ta-W-N合金の中から選ばれるか、第1の導電膜2の自己酸化膜からなり、第3の導電膜4は、第1の導電膜2の材料より大きな導電率の材料からなる。この薄膜配線構造は、液晶表示装置の走査信号ラインに使用し、低抵抗特性を有し、端子部が腐食に強い前記ラインを得る。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に積層形成される薄膜配線構造であって、前記絶縁基板に順次形成された第1の導電膜と、第2の導電膜と、第3の導電膜とからなり、前記第1の導電膜は、Ta、Nb、Ta-Nb合金、Ta-Ti合金、W、Ta-W合金の中の1つの金属によって構成され、前記第2の導電膜は、TaN合金、NbN合金、Ta-Nb-N合金、Ta-Ti-N合金、Ta-W-N合金の中の1つの金属によって構成され、前記第3の導電膜は、前記第1の導電膜の形成導電材料よりも大きな導電率を有する導電材料によって構成されていることを特徴とする薄膜配線構造。

IPC (4)：

G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 A ,  H01L 21/88 A