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J-GLOBAL ID：200903076766732706

大気圧プラズマによる薄膜作製方法

Inventor： 丸山 一典 ,  岡崎 幸子 ,  小駒 益弘
Applicant, Patent owner： 丸山 一典 ,  岡崎 幸子 ,  小駒 益弘
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995002934
Publication number (International publication number)：1996188868
Application date： Jan. 11, 1995
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】【構成】 放電管の内部に原料物質を置き、希ガスまたはその混合ガスを導入してプラズマRF電力を印加することで発生させた大気圧放電プラズマによるスパッタリングで基板に薄膜を作製する。【効果】 高品位であり、配向膜などの機能性を有する薄膜を作製することができる。装置は移動可能であり、対象物の大きさの制約を受けずに薄膜を作製することができる。

Claim (excerpt)：

放電管の内部に原料物質を装入し、放電管内に希ガスもしくは希ガスを主体とする混合ガスを略大気圧で導入してRF電力の印加により発生させた大気圧放電プラズマによって原料物質をスパッタリングして基板上に薄膜を作製することを特徴とする大気圧プラズマによる薄膜作製方法。

IPC (2)：

C23C 14/00 ,  C23C 14/34