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J-GLOBAL ID：200903076796906814

直流電界印加CVDによるダイヤモンド状炭素成長法

Inventor： 黄 燕清 ,  朱 天錦 ,  石塚 博
Applicant, Patent owner： 株式会社石塚研究所 ,  黄 燕清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994124797
Publication number (International publication number)：1995291793
Application date： Apr. 26, 1994
Publication date： Nov. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド状炭素の析出において、析出速度の向上および結晶性の向上された析出物を得るための方法を提供することである。【構成】 面状基板に近接して1対乃至複数対のフィラメント要素からなるフィラメントシステムを延設し、電流を通じて発熱させる一方、フィラメント要素対間、あるいはフィラメント要素対間に加えてさらにフィラメントシステムと基板との間に制御された直流電界を印加し、この構成中へ炭素含有ガスと水素ガスとを含む混合ガスを導入してプラズマ化し、このガスの組成および圧力を調整しながらダイヤモンド状炭素として基板上に析出させることを特徴とする、ダイヤモンド状炭素成長法。

Claim (excerpt)：

面状基板に近接して1対乃至複数対のフィラメント要素からなるフィラメントシステムを延設し、電流を通じて発熱させる一方、フィラメント要素対間、あるいはフィラメント要素対間に加えてさらにフィラメントシステムと基板との間に制御された直流電界を印加し、この構成中へ炭素含有ガスと水素ガスとを含む混合ガスを導入してプラズマ化し、このガスの組成および圧力を調整しながらダイヤモンド状炭素として基板上に析出させることを特徴とする、ダイヤモンド状炭素成長法。

IPC (2)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭64-003098
  
• ダイヤモンドの製造法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-176762   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭63-030397
  
• 特開昭63-159292
  
• 特開平4-016593