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J-GLOBAL ID：200903076807798075

六方晶フェライト焼結体の製造方法

Inventor： 斎藤 勝美 ,  田口 仁 ,  朝倉 健作
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002096647
Publication number (International publication number)：2002362968
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Dec. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 残留磁束密度を実質的に低下させることなく、また、Coの添加量を増加させることなく、フェライト焼結磁石の保磁力を向上させる。また、簡易な手段で比抵抗の高い六方晶フェライト焼結体を実現する。【解決手段】 焼結工程を有し、この焼結工程の降温過程に、降温速度が0°C/min以上1°C/min未満である低速降温域を設け、この低速降温域の持続時間を、600〜1000°Cの温度範囲内において2時間以上とし、かつ、1000°Cを超える温度範囲内において0〜3時間とする六方晶フェライトの製造方法。

Claim (excerpt)：

焼結工程を有し、この焼結工程の降温過程に、降温速度が0°C/min以上1°C/min未満である低速降温域を設け、この低速降温域の持続時間を、600〜1000°Cの温度範囲内において2時間以上とし、かつ、1000°Cを超える温度範囲内において0〜3時間とする六方晶フェライトの製造方法。

IPC (3)：

C04B 35/26 ,  C04B 35/40 ,  H01F 1/11

FI (3)：

C04B 35/40 ,  H01F 1/11 B ,  C04B 35/26 B

F-Term (18)：

4G018AA08 ,  4G018AA09 ,  4G018AA10 ,  4G018AA11 ,  4G018AA21 ,  4G018AA22 ,  4G018AA23 ,  4G018AA25 ,  4G018AA34 ,  4G018AA37 ,  4G018AB04 ,  4G018AC17 ,  5E040AB04 ,  5E040BD01 ,  5E040CA01 ,  5E040HB03 ,  5E040NN01 ,  5E040NN18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特許第3891788号