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J-GLOBAL ID：200903076819836169

半導体装置とその製造方法

Inventor： 湯田坂 一夫
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000112493
Publication number (International publication number)：2001298169
Application date： Apr. 13, 2000
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の高速化、高集積化に伴い、自己発熱による特性の低下や信頼性の劣化が問題となっている。本発明は放熱特性に優れた半導体装置の構造を提供する。【解決手段】サファイア基板上に半導体層を有する半導体装置の製造方法において、前記サファイア基板の厚さが150μm以下であるSOS基板を用いて半導体装置を製造する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に半導体層を有する半導体装置において、前記サファイア基板の厚さが150μm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 27/12 S ,  H01L 29/78 615

F-Term (30)：

5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA17 ,  5F110AA23 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD21 ,  5F110DD30 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ11