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J-GLOBAL ID：200903076829291691

トレンチ分離のための傾斜注入

Inventor：
ハワード、イー.ローズ

About ハワード、イー.ローズ

, 
チャンドラ、モウリ

About チャンドラ、モウリ


Applicant, Patent owner：
マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド

About マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド


Agent (6)： 吉武 賢次 ,  玉真 正美 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006507102
Publication number (International publication number)：2006521697
Application date： Mar. 12, 2004
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：
第1の伝導型の側壁・底部注入領域を第1の伝導型の基板内に配置するトレンチ分離を開示する。側壁・底部注入領域は、第1の伝導型のドーパントの傾斜注入により、又は90度注入により、又は傾斜注入と90度注入の組み合わせにより形成する。トレンチ分離領域に隣接して位置する側壁・底部注入領域は表面漏れと暗電流を減少させる。
Claim (excerpt)：
トレンチ分離構造であって: 基板内に形成された誘電性材料と; 前記誘電性材料の少なくとも側壁及び底部に隣接して配置された注入領域とを備える、トレンチ分離構造。
IPC (3)：
H01L 21/76 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/148
FI (4)：
H01L21/76 L ,  H01L21/76 M ,  H01L27/14 A ,  H01L27/14 B
F-Term (38)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA07 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA03 ,  4M118EA06 ,  4M118EA14 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5F032AA13 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA50 ,  5F032AA54 ,  5F032AA77 ,  5F032CA05 ,  5F032CA06 ,  5F032CA21 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA44 ,  5F032DA77 ,  5F032DA78
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • MOS型固体撮像装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-195175   Applicant：株式会社東芝
  • イメージセンサおよびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-040384   Applicant：シャープ株式会社
  • 固体撮像装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-074392   Applicant：ソニー株式会社
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