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J-GLOBAL ID：200903076864588168

半導体装置の製造方法

Inventor： 塩谷 喜美
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992231034
Publication number (International publication number)：1994084900
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、配線層上に平坦化された層間絶縁膜を作成する半導体装置の製造方法に関し、表面の平坦化を図りつつ、配線層上の層間絶縁膜の膜厚を十分に確保することができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】絶縁体12上の下部配線層13a,13bを被覆して保護絶縁膜14を形成する工程と、保護絶縁膜14上に保護膜15を形成した後、保護膜15上であって下部配線層13a,13b間の凹部を埋めるように平坦化膜を形成する工程と、平坦化膜をエッチバックして下部配線層13a,13b間の凹部に平坦化膜16aを残存し、半導体基板11の表面を平坦化する工程と、絶縁膜17を形成した後、下部配線層13a,13b上の層間絶縁膜18に開口部18a,18bを形成し、その後、下部配線層13a,13bと接続する上部配線層19を形成する工程とを含み構成する。

Claim (excerpt)：

絶縁体上の下部配線層を被覆して保護絶縁膜を形成する工程と、前記保護絶縁膜上に保護膜を形成した後、該保護膜上であって前記下部配線層間の凹部を埋めるように平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜をエッチバックして前記下部配線層間の凹部に平坦化膜を残存し、半導体基板の表面を平坦化する工程と、絶縁膜を形成した後、前記下部配線層上の少なくとも前記保護絶縁膜及び絶縁膜からなる層間絶縁膜に開口部を形成し、その後、前記下部配線層と接続する上部配線層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/90