Pat

J-GLOBAL ID：200903076866237303

多波長発振光半導体装置

Inventor： 下山 峰史
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999147560
Publication number (International publication number)：2000340883
Application date： May. 27, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 多波長発振光半導体装置に関し、素子構造を大型化することなく、複数の異なった波長で同時に安定な発振を行う。【解決手段】 大きさの異なる多数の量子箱1〜3を活性領域4内に持つ半導体利得導波路と、離散的な複数の波長で高い反射率を有する反射鏡5とを直列に配置する。

Claim (excerpt)：

大きさの異なる多数の量子箱を活性領域内に持つ半導体利得導波路と、離散的な複数の波長で高い反射率を有する反射鏡とを直列に配置したことを特徴とする多波長発振光半導体装置。

F-Term (8)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA64 ,  5F073AA65 ,  5F073AA75 ,  5F073BA02 ,  5F073CA07 ,  5F073EA04