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J-GLOBAL ID：200903076869645488

半導体レーザ

Inventor： 近藤 真人 ,  穴山 親志 ,  小路 元
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994049560
Publication number (International publication number)：1995263796
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザに関し、ラテラルpnパターニングの技術を適用して段差基板に半導体レーザを作製することが可能な結晶の面方位組み合わせの自由度を広げることで、その種の半導体レーザの製造を容易化しようとする。【構成】 (100)面或いは(100)面から(111)B方向に約0°から約10°の範囲で傾斜した面からなる主面及び<011>方向に延在した(311)B面或いは(311)B面に近接した面からなる斜面をもつ基板200及びダブル・ヘテロ構造の構成要素であるp型クラッド層202の一部に導入されたZn及びSe(或いはS)が前記主面上でn型領域203bを生成すると共に斜面上でp型領域203aを生成して構成された電流狭窄層203を備える。

Claim (excerpt)：

(100)面或いは(100)面から(111)B方向に約0°から約10°の範囲で傾斜した面からなる主面及び<011>方向に延在した(311)B面或いは(311)B面に近接した面からなる斜面をもつ基板と、前記基板上に在ってダブル・ヘテロ構造の構成要素であるp型クラッド層の一部に同時に導入された二族アクセプタ不純物及び六族ドナー不純物が前記主面上でn型領域を生成すると共に斜面上でp型領域を生成して構成された電流狭窄層とを備えてなることを特徴とする半導体レーザ。