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J-GLOBAL ID：200903076884540633

無電解めっき方法

Inventor： 森田 一弘 ,  沼田 外志 ,  高野 良比古 ,  千田 厚生
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994190687
Publication number (International publication number)：1996060376
Application date： Aug. 12, 1994
Publication date： Mar. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】無電解めっき方法によりスズもしくはスズ鉛合金である半田皮膜を形成する安定なめっき浴を提供する。【構成】二価のスズイオンもしくは二価のスズイオンと鉛イオン、錯化剤、還元剤、およびpH調整剤とを含む無電解めっき浴に、ハイドロキノンなどの酸化防止剤を添加し、窒素ガスなどの不活性ガスを通気することにより、めっき浴の酸化が防止できるようになった。その結果、スズあるいはスズ鉛合金である半田皮膜を無電解めっき方法により安定して形成することができるようになると共に、めっき浴の劣化が防止できるようになった。

Claim (excerpt)：

二価のスズイオンもしくは二価のスズイオンと鉛イオン、錯化剤、還元剤、およびpH調整剤とを含む無電解めっき浴に、酸化防止剤を添加し、不活性ガスを通気することを特徴とする無電解めっき方法。

IPC (2)：

C23C 18/31 ,  C23C 18/48