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J-GLOBAL ID：200903076887741400

窒化硼素膜の製造方法

Inventor： 戸田 直大 ,  富川 唯司 ,  中山 明
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991151781
Publication number (International publication number)：1993004808
Application date： Jun. 24, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高純度の立方晶窒化硼素薄膜を基体表面に高速で生成、析出できる新規な窒化硼素膜の製造方法を提供することを目的とする。的とする。【構成】 硼素原子を含むターゲットにエキシマレーザー光を照射し、窒素原子を含むガス雰囲気で該ターゲットに対向して配置した基体上に立方晶窒化硼素膜を合成する方法において、150nmから260nmの波長を持つパルスレーザー光を成膜と同時に基体表面に照射することを特徴とする窒化硼素膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

硼素原子を含むターゲットにエキシマレーザー光を照射し、窒素原子を含むガス雰囲気で該ターゲットに対向して配置した基体上に立方晶窒化硼素膜を合成する方法において、150nmから260nmの波長を持つパルスレーザー光を成膜と同時に基体表面に照射することを特徴とする窒化硼素膜の製造方法。

IPC (3)：

C01B 21/064 ,  C30B 25/06 ,  C30B 29/38