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J-GLOBAL ID：200903076895173128

光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池

Inventor：
福田 光弘

About 福田 光弘

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大久保 公彦

About 大久保 公彦

, 
北 弘志

About 北 弘志


Applicant, Patent owner：
コニカ株式会社

About コニカ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001296652
Publication number (International publication number)：2003109676
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 光電変換効率が高く、耐久性に優れた光電変換材料用半導体、光電変換素子、太陽電池を提供する。【解決手段】 半導体を一般式1で表わされるスクアリリウム又はクロコニウム色素を用いて増感した光電変換材料用半導体。(Aはスクアリリウム核もしくはクロコニウム核を表し、X1およびX2はカルコゲン原子を表し、R11、R12、R13、R14、はアルキル基、アリール基、複素環基を表す。)
Claim (excerpt)：
半導体を下記一般式1〜4で示される化合物の少なくとも1種によって増感させていることを特徴とする光電変換材料用半導体。【化1】(上記一般式においてAは下記一般式A1もしくはA2を表し、Bは一般式B1もしくはB2を表す。X1およびX2はカルコゲン原子を表し、Y1およびY2はO、S、またはNHを表し、Z1およびZ2は一般式に記載されたNHおよびY1、Y2とともに6または7員環の脂肪族環構造を形成するのに必要な非金属原子群を表す。R11、R12、R13、R14、R21、R22、R23、R24、R31、R32、R41、R42はアルキル基、アリール基、複素環基を表し、R25、R26、R33、R34はアルキル基、アリール基、複素環基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基を表す。m、n、p、qは0、1、2、3、4のいずれかの数を表す。R21とR22、およびR23とR24は互いに結合して環構造を形成してもよく、mが0でないときR25はR21又はR22と、nが0でないときR26はR23又はR24と、pが0でないときR33はR31と、qが0でないときR34はR32と互いに結合して環構造を形成してもよく、mが2以上のときR25どうしが、nが2以上のときR26どうしが、pが2以上のときR33どうしが、qが2以上のときR34どうしが互いに結合して環構造を形成してもよい。)【化2】
IPC (2)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (5)：
5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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