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J-GLOBAL ID:200903076900709236
水素センサ及びその製造方法
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (3):
小島 清路
, 萩野 義昇
, 谷口 直也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006115066
Publication number (International publication number):2006322926
Application date: Apr. 18, 2006
Publication date: Nov. 30, 2006
Summary:
【課題】標準ガスを用いず水素ガスの検知及び濃度測定ができる水素センサ及びその製造方法を提供する【解決手段】本センサは、プロトン伝導層(平均孔径が6.5nm以下である細孔が三次元的に配列された多孔質無機膜等)101とこれに接する一対の電極102及び103と、を備え、一方の電極102は、水素分子からプロトンを解離できる電極(白金電極等)であり、他方の電極103は、プロトンと反応して還元されうる金属酸化物(酸化マンガン等)を含有する電極である水素センサとする。本方法は、金属酸化物を構成する金属元素のイオンを含有する液体と、通電させた導電材とを接触させて、導電材の表面に金属酸化物からなる電極103を形成する工程を備える。【選択図】図4
Claim (excerpt):
プロトン伝導層と、該プロトン伝導層に接する一対の電極と、を備え、
該電極のうちの一方の電極は、水素分子からプロトンを解離できる電極であり、
該電極のうちの他方の電極は、該プロトンと反応して還元されうる金属酸化物を含有する電極であることを特徴とする水素センサ。
IPC (2):
G01N 27/406
, G01N 27/416
FI (2):
G01N27/58 Z
, G01N27/46 371G
F-Term (5):
2G004BB04
, 2G004BC05
, 2G004BD08
, 2G004BE26
, 2G004ZA01
Patent cited by the Patent:
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