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J-GLOBAL ID：200903076915999877
半導体レーザ素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992356052
Publication number (International publication number)：1994188511
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 端面劣化を抑制した、リッジ導波路型の半導体レーザ素子を提供する。【構成】 反射率が異なる共振器端面を有し、活性層5上にリッジメサを有する半導体レーザ素子において、リッジメサを反射率の低い方の共振器端面近傍の領域を除いて形成し、該領域の少なくとも一部分には電流非注入構造12を設ける。
Claim (excerpt)：
反射率が異なる共振器端面を有し、活性層上にリッジメサを有する半導体レーザ素子において、リッジメサは反射率の低い方の共振器端面近傍の領域を除いて形成されており、該領域の少なくとも一部分には電流非注入構造が設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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