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J-GLOBAL ID:200903076919449499

マイクロ波プラズマ処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡辺 喜平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003116301
Publication number (International publication number):2005002355
Application date: Apr. 21, 2003
Publication date: Jan. 06, 2005
Summary:
【課題】プラズマ処理室内の局所的過熱による容器の変形を防止し、密着性及びガスバリア性に優れる薄膜層を形成できるマイクロ波プラズマ処理方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理室にマイクロ波を導入し、処理用ガスをプラズマ化することにより、前記プラズマ処理室内に配置した基体に薄膜層を形成するマイクロ波プラズマ処理方法において、前記マイクロ波を断続発振させて、前記プラズマ処理室に導入することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理方法である。【選択図】 図4
Claim (excerpt):
プラズマ処理室にマイクロ波を導入し、処理用ガスをプラズマ化することにより、前記プラズマ処理室内に配置した基体に薄膜層を形成するマイクロ波プラズマ処理方法において、 前記マイクロ波を断続発振させて、前記プラズマ処理室に導入することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理方法。
IPC (5):
C23C16/515 ,  B01J19/08 ,  B65D23/02 ,  C23C16/52 ,  H05H1/46
FI (5):
C23C16/515 ,  B01J19/08 H ,  B65D23/02 Z ,  C23C16/52 ,  H05H1/46 B
F-Term (28):
3E062AA09 ,  3E062AB01 ,  3E062AC02 ,  3E062JA01 ,  3E062JA07 ,  3E062JB24 ,  3E062JC04 ,  3E062JD01 ,  4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA27 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA07 ,  4K030CA15 ,  4K030FA01 ,  4K030JA11 ,  4K030LA24
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 特開平1-149965
Cited by examiner (1)
  • 特開平1-149965

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