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J-GLOBAL ID：200903076926361440

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

Inventor： 高木 幹夫
Applicant, Patent owner： 株式会社エフティーエル
Agent (1)： 村井 卓雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992308047
Publication number (International publication number)：1995245298
Application date： Oct. 22, 1992
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、電気炉を用いて急速加熱プロセスを実施できる半導体装置の製造方法と装置を提供する。【構成】 ウェーハの挿入端から深さ方向に一定長の所定温度領域とそれより高い一定長の高温領域を備えた炉を用い、両温度領域の間でウェーハを移動させることでプロセスを行う。同一の炉内で、連続プロセスとなし得るので、クリーンプロセスにできる。

Claim (excerpt)：

ウェーハの挿入端から深さ方向に一定長さの所定温度領域と当該所定温度より高い一定長さの高温領域を備えた炉の挿入端から、ウェーハを挿入し、所定温度領域にて第一の処理を行い、次いで、ウェーハを高温領域に移動させ、第二の処理を行い、所定温度領域に戻す工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-270233
  
• 特開平1-321627
  
• 特開平3-136320