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J-GLOBAL ID：200903076929390700

カラ-画像読取用イメ-ジセンサ

Inventor： 伊藤 久夫
Applicant, Patent owner： 富士ゼロツクス株式会社
Agent (1)： 阪本 清孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991229679
Publication number (International publication number)：1993048825
Application date： Aug. 16, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 複数の光電変換素子を積層したカラ-画像読取用イメ-ジセンサにおいて、上部の光電変換素子を経ずに下部の光電変換素子に直接光が入射することがないようにする。【構成】 上部フォトダイオ-ドAと下部フォトダイオ-ドBとは、光の入射方向に対して積層されており、しかも、光の入射側に近い上部フォトダイオ-ドAの受光面積が下部フォトダイオ-ドBより大きく形成されて、下部フォトダイオ-ドBに上部フォトダイオ-ドAを経ない光が直接入射することがないようになっている。

Claim (excerpt)：

受光面に対して垂直方向に複数の光電変換素子を積層してなるカラ-画像読取用イメ-ジセンサにおいて、前記複数の光電変換素子の受光面を光の入射側から光の進行方向に沿って順に小さく形成したことを特徴とするカラ-画像読取用イメ-ジセンサ。

IPC (3)：

H04N 1/028 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 D