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J-GLOBAL ID：200903076945549388

酸化物膜、その形成方法、スパッタリングタ-ゲットおよび積層体

Inventor： 光井 彰 ,  尾山 卓司 ,  林 篤
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999034483
Publication number (International publication number)：2000160331
Application date： Feb. 12, 1999
Publication date： Jun. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】中間の屈折率(n=1.6〜1.9)を有する酸化物膜と、該酸化物膜を直流(DC)スパッタリング法で形成する場合に用いるスパッタリングターゲット、および該スパッタリングターゲットを用いて前記酸化物膜を形成する方法の提供。【解決手段】Nbの酸化物とSiの酸化物とを含み、屈折率が1.6〜1.9である酸化物膜とその形成方法およびスパッタリングターゲット。

Claim (excerpt)：

Nbの酸化物とSiの酸化物とを含み、屈折率が1.6〜1.9である酸化物膜。

IPC (5)：

C23C 14/34 ,  B32B 9/00 ,  C04B 35/00 ,  C23C 14/08 ,  G02B 1/11

FI (5)：

C23C 14/34 A ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/08 K ,  C04B 35/00 H ,  G02B 1/10 A