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J-GLOBAL ID：200903076959077039
半導体装置とその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992241196
Publication number (International publication number)：1994069356
Application date： Aug. 17, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】 下地に凹凸があっても、メタル配線間の平坦化された層間絶縁膜に形成されたスルーホールの深さの違いをなくす。【構成】 下地基板2上にポリシリコン配線4が形成され、配線4上には1層目の層間絶縁膜6が形成され、その上に1層目のメタル配線8が形成されている。メタル配線8がポリシリコン配線4のない低い部分に形成され、しかもその上にスルーホールが形成される部分では、メタル配線8の下部にメタル配線8の高さを調整するためのプリメタル層14が形成されている。プリメタル層14はポリシリコン配線4の厚さとほぼ等しい厚さに形成されている。1層目メタル配線8上には表面が平坦化された層間絶縁膜10が形成され、層間絶縁膜10には1層目メタル配線8上にスルーホールが形成され、層間絶縁膜10上に形成された2層目メタル配線12と1層目メタル配線8がそのスルーホールを経て接続されている。
Claim (excerpt)：
凹凸のある下地上に少なくとも2層のメタル配線が形成されており、その2層のメタル配線のうちの下層のメタル配線は、上層のメタル配線との間のスルーホールが設けられている部分では下地表面の低い所にあるメタル配線と下地表面の高い所にあるメタル配線とがほぼ同じ高さになるように下地表面の低い所にあるメタル配線の膜厚が厚くなっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
