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J-GLOBAL ID：200903076966919657

金属表面へのダイヤモンド被覆の形成方法

Inventor： 高谷 松文
Applicant, Patent owner： 高谷 松文
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993023521
Publication number (International publication number)：1994212428
Application date： Jan. 20, 1993
Publication date： Aug. 02, 1994
Summary：

【要約】【構成】 Pt、Ir、Ru、Rh及びReの中から選ばれた遷移金属の基板上に、メタン1〜5容量%を含む水素ガスを流し、マイクロ波プラズマによる化学蒸着を行うことによりダイヤモンド被覆を形成させる。【効果】 本発明によると、これまでダイヤモンド基板又は窒化ホウ素基板以外では行うことが困難であるとされていたダイヤモンドのエピタキシャル成長を、Pt、Ir、Ru、Rh及びReのような金属上で、しかもスクラッチ処理を必要としないで行うことができる。

Claim (excerpt)：

白金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム及びレニウムの中から選ばれた遷移金属の基板上に、メタン1〜5容量%を含む水素ガスを流し、マイクロ波プラズマによる化学蒸着を行うことを特徴とするダイヤモンド被覆の形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭64-024092
  
• 特開平1-215967
  
• 特開昭64-024092
  
• 特開平1-215967