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J-GLOBAL ID：200903076972793045

強誘電性セラミツクス薄膜の製造方法

Inventor： 柏原 慶一朗 ,  伊藤 博巳
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991156866
Publication number (International publication number)：1993009738
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 安全でかつ毒性の低いPbソース原料を用いて、工業上実用的なCVD法により、強誘電性セラミックスの薄膜を製造することができる方法を提供する。【構成】 PbTiO3 、PZTおよびPLZT等の鉛を含む強誘電性セラミックスの薄膜を化学気相成長法により基板上に形成する方法であって、Pbのソース原料として、Pbのβ-ジケトン錯体を用いる。一例として、Pbのソース原料としてジピバロイルメタナト鉛、Zrのソース原料として四第3ブトキシジルコニウム、およびTiのソース原料としてテトライソプロポキシチタンを用いることができる。なお、図1はこの発明の方法を実施するためのCVD装置を示している。

Claim (excerpt)：

組成式:Pb<SB>x </SB>・La<SB>1-x </SB>・Zr<SB>y </SB>・Ti<SB>1-y</SB>・O<SB>3 </SB>(式中、0<x≦1、0≦y≦1)で示される強誘電性セラミックスの薄膜を化学気相成長法により基板上に形成する方法であって、Pbのソース原料として、Pbのβ-ジケトン錯体を用いることを特徴する、強誘電性セラミックス薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C23C 16/40 ,  H01L 41/187