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J-GLOBAL ID：200903076975663002
半導体圧力センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995006512
Publication number (International publication number)：1996193897
Application date： Jan. 19, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：
【要約】【目的】 この発明は、厚膜基板の応力を緩和し、ダイボンド材の這い上がりを防止した半導体圧力センサを得ることを目的とする。【構成】 センサチップ3の中央には薄肉状のダイヤフラム3aが形成されており、ダイボンド材5例えばシリコーン樹脂により厚膜基板1に固着されている。この時、センサチップ3は、厚膜基板1上に設けられたガラス材による凸部部材1c上に載置されており、ダイボンド材5により固定されている。【効果】 センサチップのダイヤフラムの変形が防止され、高精度で安価な半導体圧力センサが得られる。
Claim (excerpt)：
中央にダイヤフラムが形成されたセンサチップを厚膜基板に搭載してなる半導体圧力センサにおいて、上記厚膜基板上の上記センサチップ搭載部に凸部部材を設けて上記厚膜基板と上記センサチップとの間隔を数十μm以上離したことを特徴とする半導体圧力センサ。
Patent cited by the Patent：
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