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J-GLOBAL ID：200903076978085239

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 滝沢 正明
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996009535
Publication number (International publication number)：1997199503
Application date： Jan. 23, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 Cu配線を酸化させずに、微細加工が可能なCu配線を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 Cu膜21上のTEOSガスと酸素ガスとの混合ガスを用いたプラズマCVD法によるPE-TEOS膜22を堆積し、このPE-TEOS膜22をパターニングし、パターニングしたPE-TEOS膜22をマスクとしてCu膜21おとびバリア膜14をRIE法でエッチングしてCu配線23を形成し、その後Cu配線23を被覆するためのPE-TEOS膜24を堆積する。【効果】 Cu配線を用いた高集積の半導体装置が作製できる。

Claim (excerpt)：

銅配線を用いた半導体装置において、半導体基板の層間絶縁膜上の銅配線と、前記銅配線上の、有機シラン系ガスを用いたプラズマCVD法で形成する酸化膜と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/95