Pat

J-GLOBAL ID：200903076986594592

描画データ作成方法、及び描画データ作成装置

Inventor： 鈴木 俊夫 ,  築添 明 ,  加藤 浩 ,  島田 豊
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立コンピュータエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 玉村 静世
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993229413
Publication number (International publication number)：1995066098
Application date： Aug. 23, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 回路の設計パターンデータから描画用のマスクパターンデータを作成するにあたり、パターン密度が相違される全ての領域に対し出来上りパターンに対して設計寸法を高精度に達成する。【構成】 パターン描画時の電子線の散乱、フォトマスクを介する露光光の反射及び干渉、光増速ガスエッチングにおける光の反射や干渉による反応速度の不均一、及びイオンエッチングにおけるイオン反射によるイオン衝撃の不均一などの各種ウェハプロセスでのパターン寸法のシフト量を考慮して、密度が高い領域にはそのパターン密度を相対的に低くし、密度が低い領域にはそのパターン密度を相対的に高くするパターン寸法補正(寸法補正14)を行って描画データを作成する。

Claim (excerpt)：

回路の設計パターンデータから描画装置のための描画データを作成する描画データ作成方法であって、上記設計パターンデータから把握される回路パターンの密度が相対的に高い領域と低い領域とを画定するための領域情報を取得するステップと、上記密度が相対的に高い領域として画定された領域のパターンにはそのパターンの密度を相対的に低くするパターン寸法補正を行い、上記密度が相対的に低い領域として画定された領域のパターンにはそのパターンの密度を相対的に高くするパターン寸法補正を行うステップと、上記密度が相対的に高い領域として画定された領域と密度が相対的に低い領域として画定された領域とを合わせた領域に含まれる上記パターン寸法補正されたパターンを合成するステップと、を含むことを特徴とする描画データ作成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-278514
  
• 特開平3-225816
  
• 特開昭63-058829
  
• 荷電粒子ビーム露光方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-326202   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭60-100426