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J-GLOBAL ID：200903077002508611

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 岡部 好文 ,  黒柳 晃 ,  戸松 裕 ,  都築 康明
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992073696
Publication number (International publication number)：1993275691
Application date： Mar. 30, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】マスク体底部の横方向長に比較してソース領域の横方向拡散長が長い場合でも、ゲート電極とソース領域との間の容量を低減し、耐圧向上を可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】ソース領域5はドープによりマスク体10底部の外端を起点として横方向拡散するので、ソース領域5とゲート電極7とのオーバーラップはこのマスク体10底部の横方向長だけ低減される。更に、ゲート電極7端部のゲート絶縁膜8は肥厚されているので、ゲート電極7直下まで喰い込んだソース領域5とその上方のゲート電極7との垂直方向間隔が増加する。ソース領域5とゲート電極7間の容量低減により高速駆動が可能となり、ゲート絶縁膜8端部における電界集中によりゲート絶縁膜8が破壊されるのを防止し、耐圧向上を可能とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面を被覆する絶縁性のマスク体と、前記ゲート電極及びマスク体をマスクとする不純物ドープにより基板の表面部に形成され前記ゲート電極の下方に達する第2導電型のウエル領域と、前記ゲート電極及びマスク体をマスクとする不純物ドープにより前記ウエル領域の表面部に前記ウエル領域より浅く形成され前記ゲート電極の下方に達する第1導電型のソース領域とを備え、前記ゲート絶縁膜は、前記ウエル領域上方の部位に比べて前記ソース領域上方の部位がより厚く形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-026859
  
• 特開平1-146367
  
• 特開平3-201484