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J-GLOBAL ID：200903077003191832
半導体記憶素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
谷 義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243232
Publication number (International publication number)：1994097452
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高速かつ、強誘電体の疲労が少なく、面積縮小化に適した不揮発性メモリを提供する。【構成】 半導体単結晶基板上に形成されたトランジスタにおけるゲート電極部分において、該半導体単結晶基板(1)上に該半導体単結晶基板と界面において、単位格子中原子間距離のミスマッチが30パーセント以下の酸化物薄膜(4)をエピタキシャル成長させ、さらにその上に高配向の強誘電体薄膜(5)を順次積層した構造をもつ。
Claim (excerpt)：
半導体単結晶基板上に形成されたトランジスタにおけるゲート電極部分において、該半導体単結晶基板上に該半導体単結晶基板と界面において、単位格子中の原子間距離のミスマッチが30パーセント以下の酸化物薄膜をエピタキシャル成長させ、さらにその上に高配向の強誘電体薄膜を順次積層した構造をもつことを特徴とする半導体記憶素子。
IPC (2)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
