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J-GLOBAL ID：200903077007279262

プラズマ処理装置

Inventor： 笹村 義孝 ,  松田 耕自
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994312169
Publication number (International publication number)：1996167592
Application date： Dec. 15, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【構成】 チャンバ1の底面壁側に、下部電極3の外周端と所定の間隔をおいてダークスペースシールド12を設ける。また、下部電極3の上端面に、絶縁膜5の外周端からさらに外周側に絶縁カバー13を設ける。この絶縁カバー13は、下部電極3とダークスペースシールド12との間に形成される空隙の開口部を覆うようになっている。【効果】 プラズマからの電子は、絶縁カバー13により阻止されて上記の空隙内に流入することはない。これにより、上記空隙内での異常放電の発生を回避することができる。それゆえ、簡単な構造で安定してプラズマを生成させることができ、異常放電によりプラズマ処理が中断することを防止できる。

Claim (excerpt)：

絶縁膜を介して電極上に載置された被処理物を、その電極に高周波電力が付与されることにより生成されたプラズマにて処理するとともに、プラズマ発生により上記被処理物に生じた自己バイアス電圧にて発生した静電気力および上記電極に直流電圧が印加されることにより発生した静電気力にて上記電極上に吸着保持する一方、ダークスペースシールドが上記電極の周囲に一定間隔をおいて設けられ、上記電極と上記ダークスペースシールドとの間に形成される空隙の開口部分が被覆部材により覆われていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205