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J-GLOBAL ID：200903077011319430

微結晶シリコン分散樹脂薄膜および薄膜素子とその製造方法

Inventor： 内藤 裕義 ,  金光 義彦
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 長谷川 文廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000260306
Publication number (International publication number)：2002075707
Application date： Aug. 30, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】バリスタや光電デバイスなどの電子部品として有効な特性をもつ微結晶シリコン分散樹脂薄膜および薄膜素子について、簡便で特性の制御が容易な成膜法の開発と、デバイス機能を実現するための条件を見出すことにある。【解決手段】溶媒を用いて溶解したポリエステル中に微結晶シリコンを分散させ、ブレード法などにより基板上に成膜し、乾燥させた。微結晶シリコンはシランガスにレーザを照射して作製した。微結晶シリコンの粒径が10〜50nmで、微結晶シリコンの混合率が、重量比で25〜50%である場合に好適なバリスタ特性や光電変換特性をもつ素子が得られた。

Claim (excerpt)：

微結晶シリコンを分散させた有機高分子材料からなり、基板上に成膜された微結晶シリコン分散樹脂薄膜であって、微結晶シリコンの粒径が10〜50nmであることを特徴とする微結晶シリコン分散樹脂薄膜。

IPC (2)：

H01C 7/10 ,  H01C 17/06

FI (2)：

H01C 7/10 ,  H01C 17/06 A

F-Term (13)：

5E032AB10 ,  5E032BA05 ,  5E032BB11 ,  5E032CA02 ,  5E032CC09 ,  5E034CA10 ,  5E034CB07 ,  5E034CC15 ,  5E034CC18 ,  5E034CC19 ,  5E034DC01 ,  5E034DE01 ,  5E034DE16