Pat
J-GLOBAL ID：200903077016228069
電子放出体の製造方法、冷陰極電界電子放出素子の製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001321863
Publication number (International publication number)：2003123632
Application date： Oct. 19, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：
【要約】【課題】均一に、且つ、制御性良く凹凸部を有する電子放出体を形成することを可能とする平面型の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】カソード電極11と、カソード電極11上に形成された複数の電子放出体15Aから構成された電子放出部15と、電子放出部15の上方に配設され、開口部14Aを有するゲート電極13から成る冷陰極電界電子放出素子の製造方法であって、電子放出体を、(A)カソード電極11上に基層21を形成する工程と、(B)該基層21を電気分解することによってカソード電極の一部分の上に凸状の基層21を残す工程と、(C)カソード電極11上及び基層21上に電子放出層22を形成する工程によって形成する。
Claim (excerpt)：
(A)導電性の基体上に電子放出層を形成する工程と、(B)該電子放出層を電気分解することによって、基体の一部分の上に凸状の電子放出層を残す工程、を具備することを特徴とする電子放出体の製造方法。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
