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J-GLOBAL ID：200903077021554063

酸化亜鉛光触媒薄膜の処理方法

Inventor： 坂口 勲 ,  李 迪 ,  羽田 肇 ,  菱田 俊一 ,  大橋 直樹
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002044216
Publication number (International publication number)：2003236376
Application date： Feb. 21, 2002
Publication date： Aug. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】 環境浄化等のために使用する酸化亜鉛光触媒薄膜の光触媒活性を向上させる方法の提供。【構成】 基体表面に成膜したC-軸が基板に対して垂直な高配向の酸化亜鉛薄膜に基体の温度50°Cから400°Cの範囲で窒素ラジカル処理を施すことにより酸化亜鉛の光触媒活性を向上させる。例えば、基体表面にMOCVD法によってC-軸が基板に対して垂直な高配向の酸化亜鉛薄膜を成膜し、さらに、MOCVD装置に搭載されているラジカル源で窒素ラジカルを酸化亜鉛に照射する。

Claim (excerpt)：

基体表面に成膜したC-軸が基板に対して垂直な高配向の酸化亜鉛薄膜に基体の温度50°Cから400°Cの範囲で窒素ラジカル処理を施すことにより酸化亜鉛の光触媒活性を向上させることを特徴とする酸化亜鉛光触媒薄膜の処理方法。

IPC (5)：

B01J 23/06 ,  B01J 35/02 ,  B01J 37/02 301 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56

FI (5)：

B01J 23/06 M ,  B01J 35/02 J ,  B01J 37/02 301 P ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56

F-Term (22)：

4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA01A ,  4G069BA01B ,  4G069BA14A ,  4G069BA48A ,  4G069BB04A ,  4G069BB04B ,  4G069BC35A ,  4G069BC35B ,  4G069EA07 ,  4G069EA11 ,  4G069FA03 ,  4G069FB03 ,  4G069FB80 ,  4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030BA47 ,  4K030CA06 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光触媒物質および光触媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-017625   Applicant：株式会社豊田中央研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Fast photoresponse and the related change of crystallite barriers for ZnO films deposited by RF sput