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J-GLOBAL ID：200903077031668326

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： 栗原 一彰 ,  関根 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995250407
Publication number (International publication number)：1997092643
Application date： Sep. 28, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明はプラズマ処理に必要な化学種を選択的に効率よく基板へ供給することで、処理速度が速く、良好な処理形状が得られるプラズマ処理装置を提供する事を目的とする。【解決手段】本発明はプラズマ処理装置に関し、プラズマを生成する放電室と、ソースガスを放電室へ導入する手段と放電室と連絡され、内部に被処理基体が載置される真空槽と、放電室と真空槽とが連絡される部位に備えられたフィルターとを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

プラズマを生起する放電室と、ソースガスを放電室へ導入する手段と放電室と連絡され、内部に被処理基体が載置される真空槽と放電室と真空槽とが連絡される部位に備えられたフィルターとを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (6)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 B