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J-GLOBAL ID：200903077034465221
電界放射型電子素子およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994153532
Publication number (International publication number)：1996017332
Application date： Jul. 05, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：
【要約】【目的】 陰極の曲率半径が小さくかつ動作電圧の低い電界放射型電子素子を提供する。【構成】 一方の面に高部表面2と低部表面5が形成されその高部表面2と低部表面5間の段差3が高部表面と鋭角θで形成されかつ高部表面2と段差3との交差線が陰極4となる半導性基板1と、その半導性基板1の低部表面5に対して絶縁されかつ陰極4に近接して形成されたゲート電極7とを有し、そのゲート電極7と陰極4の間に電界を印加することにより陰極4から電子を放射させる。
Claim (excerpt)：
一方の面に高部表面と低部表面が形成されその高部表面と低部表面間の段差が高部表面と鋭角で形成されかつ高部表面と段差との交差線が陰極となる導電性基板または半導性基板と、前記導電性基板または半導性基板の低部表面に対して絶縁されかつ前記陰極に近接して形成されたゲート電極とを有し、前記ゲート電極と前記陰極との間に電界を印加することにより陰極から電子を放射させる電界放射型電子素子。
IPC (2)：
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