Pat
J-GLOBAL ID:200903077037693934
レジストパターンの欠陥検査方法及びその欠陥検査装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
上柳 雅誉 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002039187
Publication number (International publication number):2003243290
Application date: Feb. 15, 2002
Publication date: Aug. 29, 2003
Summary:
【要約】【課題】レジストパターン表面を効率よく比較し、レジスト形成工程に起因する欠陥のみを容易に検出するレジストパターンの欠陥検査方法及びその欠陥検査装置を提供する。【解決手段】半導体ウェハ所定層におけるレジストパターン形成工程終了後、選ばれたウェハは、そのレジストパターンに対して蛍光発光させる検査用の光、例えば所定の波長帯を有する紫外線(UV)を照射する。この蛍光発光しているレジストパターンの所定箇所の画像を取り込む。これにより、レジストパターンのみパターンを比較する検出工程が達成される。検査のために照射するUV(紫外線)は、もちろん、レジストが感光しない波長帯を有する。検査対象の所定箇所に部分的に照射されるようにしてもよい。
Claim (excerpt):
半導体ウェハ所定層におけるレジストパターン形成工程と、前記半導体ウェハのレジストパターンに対して蛍光発光させる検査用の光を照射する工程と、前記蛍光発光しているレジストパターンの所定箇所の画像を取り込みパターンを比較する検出工程と、を具備したことを特徴とするレジストパターンの欠陥検査方法。
IPC (3):
H01L 21/027
, G01B 11/24
, G01N 21/956
FI (3):
G01N 21/956 A
, H01L 21/30 502 V
, G01B 11/24 K
F-Term (27):
2F065AA49
, 2F065AA51
, 2F065AA56
, 2F065BB02
, 2F065BB03
, 2F065BB18
, 2F065CC19
, 2F065DD04
, 2F065DD06
, 2F065FF04
, 2F065FF61
, 2F065GG03
, 2F065GG21
, 2F065JJ03
, 2F065JJ26
, 2F065MM03
, 2F065PP12
, 2F065QQ25
, 2F065QQ31
, 2F065RR08
, 2G051AA51
, 2G051AB02
, 2G051AC21
, 2G051BA05
, 2G051CA04
, 2G051CB10
, 2G051DA05
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