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J-GLOBAL ID：200903077039871643
非晶質材料
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中島 淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996233981
Publication number (International publication number)：1998081504
Application date： Sep. 04, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】 非晶質III -V族化合物半導体の欠点を改善し、優れた光導電特性、高速応答性であり、経時変化が少なく耐環境特性及び耐高温性を有し、光学的に活性であり、且つ、安価な非晶質材料を提供する。【解決手段】 少なくとも水素と周期律表におけるIII 族元素、好ましくはガリウムと、チッ素とを含む非晶質材料であって、非晶質材料の赤外吸収スペクトルにおて、チッ素と水素との結合を示す吸収ピーク(N-H)と炭素と水素との結合を示す吸収ピーク(C-H)における吸光度の比IN-H /IC-H が2以上であり、且つ、赤外吸収スペクトルのチッ素と水素との結合を示す吸収ピーク(N-H)とIII 族元素と水素との結合を示す吸収ピーク(III -H)とにおける吸光度の比IN-H /IIII-H が0.2以上であることを特徴とする。III 族元素の原料としてIII 族元素を含有する有機金属化合物を用い、チッ素の原料としてチッ素ガスを用いることが好ましい。
Claim (excerpt)：
少なくとも水素と周期律表におけるIII 族元素とチッ素とを含む非晶質材料であって、該非晶質材料の赤外吸収スペクトルを測定した場合、チッ素と水素との結合を示す吸収ピーク(N-H)と炭素と水素との結合を示す吸収ピーク(C-H)における吸収ピークの吸光度の比IN-H /IC-H が2以上であり、且つ、赤外吸収スペクトルのチッ素と水素との結合を示す吸収ピーク(N-H)とIII 族元素と水素との結合を示す吸収ピーク(III -H)とにおける吸光度の比IN-H /IIII-H が0.2以上であることを特徴とする非晶質材料。
IPC (4)：
C01B 21/06
, C01G 15/00
, H01L 21/205
, H01L 31/04
C01B 21/06 A
, C01G 15/00 Z
, H01L 21/205
, H01L 31/04 B
