半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996104881
Publication number (International publication number)：1997293869
Application date： Apr. 25, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【目的】水素雰囲気中での熱処理時に強誘電体膜が水素と反応して劣化することのないようにする。容量素子の形成面積を広く確保できるようにする。【構成】絶縁性基板1上に下部電極2、強誘電体膜3、上部電極4からなる強誘電体容量素子が形成され、その上に絶縁性保護膜5a、水素透過性の低い材料からなる水素バリア膜6、絶縁性保護膜5bが形成され、さらにその上に単結晶シリコンからなるSOI層7が形成される。SOI層7上には、ゲート酸化膜8、ゲート電極9が形成され、ゲート電極9の左右のSOI層7はソース領域10とドレイン領域11になされている。全面が層間絶縁膜12により被覆され、この層間絶縁膜12等に開孔されたコンタクト孔介して、バリア導電層13、低抵抗導電層14からなる配線層が各部に接続されている。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面が絶縁体である基板上に下部電極、容量誘電体膜および上部電極を有する容量素子が形成され、その上に層間絶縁膜を介して半導体層が形成され、該半導体層を活性層とする電界効果トランジスタが形成され、該電界効果トランジスタのソース・ドレイン領域の一方と前記容量素子の上部電極とが接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (8)：

H01L 29/78 627 E , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 27/10 661 , H01L 27/10 671 C , H01L 29/78 371 , H01L 29/78 613 B , H01L 29/78 627 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-216667
ディスプレイ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-086665 Applicant：富士ゼロックス株式会社
特開平4-102367

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