Pat

J-GLOBAL ID：200903077064468330

半導体装置とその製造方法

Inventor： 平谷 雄二
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997099392
Publication number (International publication number)：1998290051
Application date： Apr. 16, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体から成り、表面モルホロジーが優れている半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 この半導体装置は、基板1と窒化物系III-V族化合物半導体から成る少なくとも1層のエピタキシャル成長層3との間に、厚みが5〜100nmで、かつ炭素濃度が1018〜1020cm-3の窒化物系III-V族化合物半導体の緩衝層2が形成されており、この緩衝層は、まず最初に、前記基板の表面にIII族元素の単体を供給し、ついで、前記III族元素の単体と一緒にジメチルヒドラジンやモノメチルヒドラジンのような炭素および窒素を構成元素とする化合物を供給することによって形成される。

Claim (excerpt)：

基板と、窒化物系III-V族化合物半導体から成る少なくとも1層のエピタキシャル成長層との間に、厚みが5〜100nmで、かつ炭素濃度が1018〜1020cm-3の窒化物系III-V族化合物半導体の緩衝層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C