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J-GLOBAL ID：200903077072169814

磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法

Inventor： 織本 隆充 ,  細野 和真
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井島 藤治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997064663
Publication number (International publication number)：1998261208
Application date： Mar. 18, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子層の上に、磁気抵抗効果素子のコア幅を規定するリフトオフ用パターンを形成する工程と、リフトオフ用パターンの上から端子部形成用導体層を成膜する工程とを少なくとも有する磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、端子部形成用導体層を正常に成膜でき、不良品の発生が少なく歩留まりがよい磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を実現すること。【解決手段】 リフトオフ用パターン44を、磁気抵抗効果素子層側に位置する第1層45とこの第1層45に積層され第1層45よりもコア幅方向に広い第2層46とを有する膜で形成し、且つ、第2層46又は端子部形成用導体層48の成膜に際しては、その応力が負の方向になるように形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に磁気抵抗効果素子層を形成する工程と、前記磁気抵抗効果素子層の上に、磁気抵抗効果素子のコア幅を規定するリフトオフ用パターンを形成する工程と、前記リフトオフ用パターンの上から端子部形成用導体層を成膜する工程と、前記導体層の成膜後、前記リフトオフ用パターンを除去する工程とを有する磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法において、前記リフトオフ用パターンを形成する工程では、前記リフトオフ用パターンを、前記磁気抵抗効果素子層側に位置する第1層とこの第1層に積層され第1層よりも前記コア幅方向に広い第2層とを有する膜で形成し、且つ、前記第2層の成膜に際しては、その応力が負の方向になるように形成することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。