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J-GLOBAL ID：200903077073031433

誘電体磁器組成物

Inventor： 柴 田 将 充 ,  浜 地 幸 生
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 岡田 全啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993204627
Publication number (International publication number)：1995037428
Application date： Jul. 26, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 1160°C以下で焼成でき、1000以上の高誘電率でありながら、X8R特性を満足し、磁器の機械的強度が高く、さらに誘電体磁器層の厚みを10μm〜15μmと薄膜化したときに、JIS C6429のRB特性の規格に準じて、定格電圧の50%の直流電圧を印加したときの静電容量の温度変化率が+15%〜-40%以内と小さい、誘電体磁器組成物を提供する。【構成】 この発明は、一般式、{100-(a+b+c+d+e)}BaTiO3 +aZnO+bBi2 O3 +cMeO2 +dNb2 O5 +eRe2 O3 (ただし、MeはTi、Zr、Snの中から選ばれる少なくとも一種類、ReはLa、Pr、Nd、Sm、Dy、Erの中から選ばれる少なくとも一種類、a、b、c、dおよびeはモル%)で表され、a、b、c、dおよびeがそれぞれ0.5≦a≦4.5、2.0≦b≦6.0、0.5≦c≦6.5、0.5≦d≦4.5、0.5≦e≦5.5の範囲内にあり、SiO2 を主成分とするガラスからなる第1副成分が0.05〜2.5重量%含有する誘電体磁器組成物である。

Claim (excerpt)：

次の一般式、{100-(a+b+c+d+e)}BaTiO3 +aZnO+bBi2 O3+cMeO2 +dNb2 O5 +eRe2 O3 (ただし、MeはTi、Zr、Snの中から選ばれる少なくとも一種類、ReはLa、Pr、Nd、Sm、Dy、Erの中から選ばれる少なくとも一種類、a、b、c、dおよびeはモル%)で表される主成分が97.5〜99.95重量%、ただし、前記一般式のa、b、c、dおよびeがそれぞれ次の範囲にある0.5≦a≦4.52.0≦b≦6.00.5≦c≦6.50.5≦d≦4.50.5≦e≦5.5SiO2 を主成分とするガラスからなる第1副成分が0.05〜2.5重量%、からなる誘電体磁器組成物。

IPC (4)：

H01B 3/12 313 ,  H01B 3/12 303 ,  C04B 35/46 ,  H01G 4/12 358