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J-GLOBAL ID：200903077076576651

窒化ガリウム系化合物半導体素子

Inventor： 渡部 信一 ,  只友 一行
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995349727
Publication number (International publication number)：1997172199
Application date： Dec. 20, 1995
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 生産性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 ガラス基板または多結晶基板であって融点1200°C以上の高融点材料からなる基板1上にバッファ層2を介して窒化ガリウム系化合物半導体層3が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体素子。

Claim (excerpt)：

ガラス基板または多結晶基板であって融点1200°C以上の高融点材料からなる基板上にバッファ層を介して窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。