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J-GLOBAL ID：200903077078395425

気相成長装置

Inventor： 生方 映徳 ,  徳永 裕樹
Applicant, Patent owner： 日本酸素株式会社
Agent (1)： 木戸 一彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002217919
Publication number (International publication number)：2004063631
Application date： Jul. 26, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】原料ガス流路となるフローライナー内壁面への中間生成物の付着を防止し、フローライナーの洗浄回数を削減することによって生産性の向上を図れる気相成長装置を提供する。【解決手段】原料ガス流路14,15の基端部10aに設けた原料ガス導入ノズル16,17から、該原料ガス流路14,15を通して基板面11aに平行な方向に原料ガスを供給し、前記基板面11aに半導体薄膜を成長させる気相成長装置において、前記原料ガス導入ノズル16,17を、前記原料ガス流路14,15の基端部中央に設けるとともに、該原料ガス導入ノズル16,17の周囲に、前記原料ガス流路14,15の内壁面に沿う方向にパージガスを吹き出すパージガス導入ノズル18,19を設ける。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

原料ガス流路の基端部に設けた原料ガス導入ノズルから、該原料ガス流路を通して基板面に平行な方向に原料ガスを供給し、前記基板面に半導体薄膜を成長させる気相成長装置において、前記原料ガス導入ノズルを、前記原料ガス流路の基端部中央に設けるとともに、該原料ガス導入ノズルの周囲に、前記原料ガス流路の内壁面に沿う方向にパージガスを吹き出すパージガス導入ノズルを設けたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2)：

H01L21/205 ,  C23C16/455

FI (2)：

H01L21/205 ,  C23C16/455

F-Term (19)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030KA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB02 ,  5F045EF08