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J-GLOBAL ID：200903077094526912
窒素-3族元素化合物半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993293944
Publication number (International publication number)：1995131068
Application date： Oct. 29, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】発光ダイオードの結晶性及び発光輝度を向上させることである。【構成】n型の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成るn層3,4と半絶縁性の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) から成るi層5とを有する発光素子において、(11-20)に対して、0.5〜2.0度の範囲で傾斜した面を主面Fとするサファイア基板1と、サファイア基板1上に直接又はバッファ層2を介して形成されたn層3,4と、n層の上に形成されたi層5とを有する。結晶のライザー部から面状で発光する結果、発光強度が向上する。
Claim (excerpt)：
n型の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成るn層と半絶縁性の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) から成るi層とを有する発光素子において、(11-20)に対して、0.5〜2.0度の範囲で傾斜した面を主面とするサファイア基板と、前記サファイア基板上に直接又はバッファ層を介して形成されたn層と、前記n層の上に形成されたi層とを有することを特徴とする窒素-3族元素化合物半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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